摘要将拟南芥种子播种于1/2 ms培养基上,竖直培养,待根生长至1.5~2.0 cm时,转入含有不同nacl浓度的1/2 ms培养基上,倒置培养,观察各个盐浓度下根的生长情况。试验结果表明,在170、180、190 mmol/l的nacl浓度下,拟南芥的根生长虽然都表现出一定的延迟,但最终还能够生长;而在200 mmol/l时,根生长完全受到抑制,最终白化死亡,由此确定其生长的临界盐浓度为200 mmol/l。
关键词拟南芥;突变体筛选;盐浓度
中图分类号q945.78文献标识码a文章编号 1007-5739(2010)23-0025-01
模式植物拟南芥(arabidopsis thaliana)为十字花科拟南芥属一年生草本植物,它具有基因组小、个体小、生长周期短、种子繁殖系数高、严格的自花闭花授粉、易于遗传转化、便于栽培管理等特点。拟南芥是典型的甜土植物,本身并不抗盐,但是大量研究表明它包含了大多数的抗盐基因,拟南芥基因组的全序列物理图谱已于2000年12月公布[1](the arabidoposis genome initiative 2000),这是第一个被全部测序的植物。目前在拟南芥中,只有少数基因的功能被确定[2],对拟南芥抗盐突变体的研究,有助于基因功能的探索,而前期工作突变体筛选条件的确定尤为重要[3-4],是后续试验成功的关键。
1材料与方法
1.1试验材料
野生型拟南芥种子;基本培养基:1/2 ms培养基;含盐培养基:分别含有170、180、190、200 mmol/l nacl浓度的1/2 ms培养基。Www.11665.Com
1.2试验方法
1.2.1播种与培养。将经过10 h氯气熏蒸灭菌的野生型拟南芥种子水平排列播种于基本培养基上,置于4 ℃冰箱放置2 d,以确保种子发芽时间基本一致。2 d后,从冰箱中移出,置于22~23 ℃组培室中竖直培养,每天给予14 h充足光照和10 h黑暗。
1.2.2转移与培养。待根生长至1.5~2.0 cm时,挑选根长度基本相同且较为健壮的幼苗分别移入含有170、180、190、200 mmol/l的nacl培养基,并在培养皿上标记好根生长的初始位置,倒立竖直培养,培养条件与前相同。
1.3观察与记录
每天观察不同盐浓度下根的生长情况、弯曲程度以及幼苗的生理状态,每隔一定时间在培养皿上对根的生长位置进行标记,并做好记录。
2结果与分析
将幼苗移入含有不同盐浓度的培养基后,都表现出一定程度的生长抑制,可能由于不同盐浓度对根的生长都造成了一定的延迟。经过生长延迟后,幼苗适应了相应盐浓度,在部分浓度下根出现了弯曲生长(图1):在170 mmol/l浓度下,根经过短暂的迟延开始弯曲生长,且弯曲的程度较大,生长较快。在180 mmol/l浓度下,根的生长状况与170 mmol/l浓度下几乎相同,生长较快,弯曲程度较大。在190 mmol/l浓度下,根的生长受到了短暂的抑制,但随后出现弯曲生长。在200 mmol/l浓度下,根的生长完全受到了抑制,没有出现弯曲现象,且很快萎蔫,白化死亡。
3结论与讨论
试验结果表明,在170、180、190 mmol/l的nacl浓度下,根的生长虽然都表现出一定的延迟,生长速度不太一致,但最终还是能够生长,出现了一定程度的弯曲,而在200 mmol/l的nacl浓度下,根的生长完全受到了抑制,没有出现任何程度的弯曲,经过一定时间后萎蔫,因此确定200 mmol/l nacl为筛选浓度。该盐浓度经过多次反复验证,可作为拟南芥抗盐突变体的筛选条件[5-6]。 编辑
4参考文献
[1] agi.analysis of the genome sequence of the flowering plant arabidopsis thaliana[j].nature,2000,408(6814):796-815.
[2] bouche n,bouchez d.arabidopsis gene knockout:phenotypes wanted[j].current opinion in plant biology,2001,4(2):111-117.
[3] meinke d w,cherry j m,dean c,et al.arabidopsis thaliana:a model plant for genome analysis[j].science,1998(5389):662,679-682.
[4] 赵淑清.一种筛选拟南芥突变体的有效方法[j].遗传,2001,23(3):260-261.
[5] 郝建平,郭美丽,裴雁曦.拟南芥抗盐突变体的rapd分析[j].西北植物学报,2004,24(8):1514-1516.
[6] 郝建平,郭美丽,宋莲芬.拟南芥抗盐单基因突变体的诱导与筛选[j].山西大学学报:自然科学版,2003,26(4):349-351.
